STP10NK80Z 与 IRFBE30PBF 区别
| 型号 | STP10NK80Z | IRFBE30PBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP10NK80Z | A3t-IRFBE30PBF-1 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB | MOSFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 125W(Tc) | ||||||
| 宽度 | - | 4.7 mm | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.1A | ||||||
| 系列 | - | IRF | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 长度 | - | 10.41 mm | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 78nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 3Ω | ||||||
| 高度 | - | 15.49 mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 980 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP10NK80Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥11.05
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980 | 当前型号 | ||||||||
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SPP06N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 6A 900mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 25,000 | 对比 | ||||||||
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
￥4.6501
|
40 | 对比 | ||||||||
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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