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STP160N3LL  与  IRLB4132PBF  区别

型号 STP160N3LL IRLB4132PBF
唯样编号 A36-STP160N3LL A-IRLB4132PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@60A,10V 2.5mΩ
上升时间 - 92ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 140W
Qg-栅极电荷 - 54nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 190S
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 120A(Tc) 150A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 36ns
典型接通延迟时间 - 23ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V 5110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V 54nC @ 4.5V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 277 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.312
100+ :  ¥3.454
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP160N3LL STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 120A(Tc) ±20V 136W(Tc) 3.2mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

¥4.312 

阶梯数 价格
20: ¥4.312
100: ¥3.454
277 当前型号
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 114W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
IRL8113PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@21A,10V N-Channel 30V 105A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL7833PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.8mΩ@38A,10V N-Channel 30V 150A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRLB4132PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V -55°C~175°C(TJ) 150A 2.5mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRL3713PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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