STP20N65M5 与 IPP65R150CFD 区别
| 型号 | STP20N65M5 | IPP65R150CFD | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP20N65M5 | A-IPP65R150CFD | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 通孔 N 通道 650 V 18A（Tc） 130W（Tc） TO-220 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 4.4mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 135mΩ | ||||||
| 上升时间 | - | 7.6ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 650V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 195.3W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 86nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 52.8ns | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 22.4A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 | ||||||
| 长度 | - | 10mm | ||||||
| 下降时间 | - | 5.6ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 12.4ns | ||||||
| 高度 | - | 15.65mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥9.405
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1,000 | 当前型号 | ||||||||
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IPP65R190CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPP65R150CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
SIHP22N65E | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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