STP55NF06 与 IRFZ34NPBF 区别
| 型号 | STP55NF06 | IRFZ34NPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP55NF06 | A-IRFZ34NPBF | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 68W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 29A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 40mΩ@16A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 732 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP55NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥3.24
|
732 | 当前型号 | ||||||
|
PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A |
￥13.3605
|
0 | 对比 | ||||||
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IRFZ44VPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 55A 16.5mΩ 20V 115W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IRFZ34NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRFZ46NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16.5mΩ@28A,10V N-Channel 55V 53A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOT2618L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 23A 41.5W 19mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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