STP75NF75 与 IRF1607PBF 区别
| 型号 | STP75NF75 | IRF1607PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP75NF75 | A-IRF1607PBF | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB | Single N-Channel 75 V 380 W 320 nC Through Hole Power MosFet - TO-220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.5mΩ@85A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 80V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 380W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 142A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7750pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 320nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7750pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 320nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 257 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥3.278
|
257 | 当前型号 | ||||||||||
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STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 115,900 | 对比 | ||||||||||
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IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
|
AOT430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 75V ±25V 80A 268W 11.5mΩ@30A,10V |
￥6.7347
|
986 | 对比 | ||||||||||
|
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AOT470 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
IRF1607PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@85A,10V N-Channel 80V 142A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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