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STS4DNF60L  与  DMN6040SSD-13  区别

型号 STS4DNF60L DMN6040SSD-13
唯样编号 A36-STS4DNF60L A36-DMN6040SSD-13
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.055 O 15 nC Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 - 4.5 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ
上升时间 - 8.1ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.7W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 20.1ns
正向跨导 - 最小值 - 4.5S
FET类型 - 2N-Channel
封装/外壳 - SO
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5A
配置 - Dual
系列 - DMN6040
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1287pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22.4nC @ 10V
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 6.6ns
库存与单价
库存 804 1,388
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.267
100+ :  ¥2.519
40+ :  ¥1.419
100+ :  ¥1.0934
1,250+ :  ¥0.9262
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STS4DNF60L STMicro  数据手册 功率MOSFET

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
804 当前型号
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.826
750: ¥1.639
1,500: ¥1.54
3,000: ¥1.463
18,000 对比
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V

暂无价格 15,030 对比
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V

¥11.7577 

阶梯数 价格
20: ¥11.7577
50: ¥6.6119
100: ¥5.9699
300: ¥5.5387
500: ¥5.4524
1,000: ¥5.3949
2,000: ¥5.3566
2,500 对比
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0934
1,250: ¥0.9262
1,388 对比
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V

¥11.7577 

阶梯数 价格
20: ¥11.7577
50: ¥6.6119
100: ¥5.9699
300: ¥5.5387
500: ¥5.4524
700 对比

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