SUP85N10-10-E3 与 IRFB4410ZGPBF 区别
| 型号 | SUP85N10-10-E3 | IRFB4410ZGPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SUP85N10-10-E3-1 | A-IRFB4410ZGPBF | ||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.0014 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5 mOhms @ 30A,10V | 9mΩ@58A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),250W(Tc) | 230W(Tc) | ||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||||
| 连续漏极电流Id | 85A(Tc) | 97A | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4820pF @ 50V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4820pF @ 50V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,849 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUP85N10-10-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
85A(Tc) N-Channel 10.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V |
￥9.7812
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2,849 | 当前型号 | ||||||
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IRFB4410ZGPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOT418L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 25V 105A 333W 10mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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