ZXMN2A01FTA 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | ZXMN2A01FTA | RUR020N02TL | ||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMN2A01FTA | A33-RUR020N02TL-1 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 625mW(Ta) | 540mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@4A,4.5V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 303 pF @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±10V | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 3 nC @ 4.5 V | - | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TSMT | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.9A(Ta) | 2A | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压 | 2.5V,4.5V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 180pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 5,279 | 5,574 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 625mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.9A(Ta) |
￥0.7172
|
5,279 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.0164
|
33,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
|
19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
|
5,574 | 对比 | ||||||||||||||||
|
NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥4.408
|
1,196 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.9196
|
815 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
