ZXMN3A03E6TA 与 RTQ035N03TR 区别
| 型号 | ZXMN3A03E6TA | RTQ035N03TR | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMN3A03E6TA | A33-RTQ035N03TR | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | RTQ035N03 Series 30 V 54 mOhm 3.5 A 2.5 V Drive N-Channel Mosfet - TSMT6 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 54m Ohms@3.5A,4.5V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta) | 1.25W(Ta) | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@7.8A,10V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 600 pF @ 25 V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 12V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.6 nC @ 10 V | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | TSMT | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.7A(Ta) | 3.5A | ||||||||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 285pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.4nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 5,012 | 1,100 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.7A(Ta) |
￥1.3816
|
5,012 | 当前型号 | ||||||||||||
|
RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
|
2,275 | 对比 | ||||||||||||
|
RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥0.8851
|
1,100 | 对比 | |||||||||||||
|
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥2.4244
|
983 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
