ZXMN6A08GTA 与 STN3NF06L 区别
| 型号 | ZXMN6A08GTA | STN3NF06L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMN6A08GTA | A3-STN3NF06L |
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 3.3W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@4.8A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 459 pF @ 40 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.8 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-223-3 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.8A(Ta) | 4A |
| 系列 | - | STripFET™ II |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 3.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
|
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSP320S H6327 | Infineon | 小信号MOSFET |
60V 2.9A 120mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
