ZXMN6A11DN8TA 与 IRF7103TRPBF 区别
| 型号 | ZXMN6A11DN8TA | IRF7103TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMN6A11DN8TA | A-IRF7103TRPBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC | Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.8W | 2W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 50V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@2.5A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 330pF @ 40V | - | ||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.7nC @ 10V | - | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 2.5A | 3A | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 130mΩ@3A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 680 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN6A11DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 2.5A |
￥4.296
|
680 | 当前型号 | ||||||||
|
IRF7103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 130mΩ@3A,10V 2W N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRF7103PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
130mΩ@3A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
