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ZXMN6A11GTA  与  NTF3055-100T1G  区别

型号 ZXMN6A11GTA NTF3055-100T1G
唯样编号 A36-ZXMN6A11GTA A36-NTF3055-100T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.3W(Ta)
漏源极电压Vds - 60V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 455pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) - 110 毫欧 @ 1.5A,10V
库存与单价
库存 11 661
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.574
50+ :  ¥1.98
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 11 当前型号
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4

¥2.024 

阶梯数 价格
30: ¥2.024
100: ¥1.617
1,000: ¥1.441
2,000: ¥1.364
4,000: ¥1.298
4,018 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.0888 

阶梯数 价格
50: ¥1.0888
2,145 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
50: ¥1.98
661 对比

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