ZXMN6A25KTC 与 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | ZXMN6A25KTC | TK8S06K3L(T6L1,NQ) | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXMN6A25KTC | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ)-2 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 宽度 | 6.22 mm | - | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@3.6A,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 上升时间 | 4 ns | - | ||||||||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 400 pF @ 10 V | ||||||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10 nC @ 10 V | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | DPAK+ | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 175°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.7A | 8A(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||||||||
| 长度 | 6.73 mm | - | ||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||||||||||
| 下降时间 | 10.6 ns | - | ||||||||||||||||||||
| 高度 | 2.39 mm | - | ||||||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60 V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.11W(Ta) | 25W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 54 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns | - | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 系列 | ZXMN | - | ||||||||||||||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1063pF @ 30V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20.4nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.8 ns | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 7,594 | 1,896 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
￥1.3184
|
7,594 | 当前型号 | ||||||||||||||
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.683
|
4,028 | 对比 | ||||||||||||||
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥4.705
|
1,896 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.0996
|
61 | 对比 | ||||||||||||||
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|
STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 11 | 对比 |
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