ZXMP6A18KTC 与 IRFR5305PBF 区别
| 型号 | ZXMP6A18KTC | IRFR5305PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMP6A18KTC | A-IRFR5305PBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 | Single P-Channel 55 V 89 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2.15W(Ta) | 110W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 10.4A | 31A | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1580pF @ 30V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 55mΩ@3.5A,10V | 65mΩ@16A,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1200pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 63nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,025 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
¥3.19
|
1,025 | 当前型号 | ||||||
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IRFR5305PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
65mΩ@16A,10V ±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) P-Channel 55V 31A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR5305TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |