BSC117N08NS5 与 SIR880ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC117N08NS5 | SIR880ADP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3f-BSC117N08NS5 | A-SIR880ADP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | Single N-Channel 80 V 8.9 mOhm 24 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ | 6.3mΩ |
| Ciss | 1000.0pF | - |
| Rth | 2.5K/W | - |
| Coss | 180.0pF | - |
| RthJA max | 50.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.2V,3.8V | ±20V |
| 封装/外壳 | SuperSO8 | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 49A | 60A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ptot max | 50.0W | - |
| QG | 15.0nC | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| Budgetary Price €/1k | 0.36 | - |
| RthJC max | 2.5K/W | - |
| RoHS compliant | yes | - |
| Moisture Level | 1 Ohms | - |
| 漏源极电压Vds | 80V | 3V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 5.4W(Ta),83W(Tc) |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Pin Count | 8.0Pins | - |
| Mounting | SMD | - |
| 系列 | OptiMOS™ | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2289pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 72nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 25 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC117N08NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
11.7mΩ 80V 49A SuperSO8 N-Channel 2.2V,3.8V |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
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SIR880ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 6.3mΩ 3V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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SIR880ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 6.3mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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