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BSH202,215  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 BSH202,215 IRLML5103TRPBF
唯样编号 A3n-BSH202,215 A-IRLML5103TRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 540mW(Ta)
漏源极电压Vds - 30V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
导通电阻Rds(On) - 600mΩ@600mA,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 12,000 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.148
6,000+ :  ¥0.1421
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH202,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel

¥0.148 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.148
6,000: ¥0.1421
12,000 当前型号
FDV304P ON Semiconductor 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5759 

阶梯数 价格
90: ¥0.5759
200: ¥0.3718
1,500: ¥0.3237
3,000: ¥0.286
172,088 对比
ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 625mW(Ta) 210mΩ@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 1.6A

暂无价格 3,000 对比
DMP31D0U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 450mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 530mA(Ta)

¥0.6144 

阶梯数 价格
90: ¥0.6144
200: ¥0.429
837 对比
DMP31D0U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 450mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 530mA(Ta)

暂无价格 18 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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