2SK3566(STA4,Q,M) 与 IRFBE30PBF 区别
| 型号 | 2SK3566(STA4,Q,M) | IRFBE30PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-2SK3566(STA4,Q,M)-1 | A3t-IRFBE30PBF-1 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.7 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3Ω |
| 产品状态 | 在售 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 470 pF @ 25 V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 1mA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | TO-220SIS | TO-220-3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | 4.1A |
| 长度 | - | 10.41 mm |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 高度 | - | 15.49 mm |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | 900 V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | 125W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 6.4 欧姆 @ 1.5A,10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | IRF |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 78nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 900 V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 14,000 | 对比 |
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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