FDG8842CZ 与 DMG1016UDW-7 区别
| 型号 | FDG8842CZ | DMG1016UDW-7 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-FDG8842CZ | A36-DMG1016UDW-7 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N & P-Channel 400 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET-SC-70-6 | Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 3/10W | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400 毫欧 @ 750mA,4.5V | 450mΩ@600mA,4.5V | ||||
| 上升时间 | - | 7.4ns,8.1ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V,25V | 20V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | 330mW | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 736.6nC,622.4pC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±6V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 26.7ns,28.4ns | ||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SOT-363 | ||||
| 连续漏极电流Id | 750mA,410mA | 1.066A,845mA | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | PowerTrench® | DMG1016 | ||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||
| 配置 | - | Dual | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 120pF @ 10V | 60.67pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.44nC @ 4.5V | 0.74nC @ 4.5V | ||||
| 下降时间 | - | 12.3ns,20.72ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 5.1ns,5.1ns | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 120pF @ 10V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.44nC @ 4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 209 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDG8842CZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规 |
￥0.6365
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5,894 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
￥0.6149
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209 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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