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FDMC7664  与  SISA12ADN-T1-GE3  区别

型号 FDMC7664 SISA12ADN-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDMC7664 A36-SISA12ADN-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.3W(Ta),45W(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc)
功率 2.3W(Ta),45W(Tc) -
漏源极电压Vds 30V 30V
Vgs(th) - 2.2V @ 250uA
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerWDFN PowerPAK® 1212-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18.8A(Ta),24A(Tc) 25A(Tc)
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4865pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
Vgs(最大值) - +20V,-16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 4.2 毫欧 @ 18.8A,10V 4.3 mOhms @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4865pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC -
库存与单价
库存 0 11,817
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.124
100+ :  ¥1.692
750+ :  ¥1.524
1,500+ :  ¥1.44
3,000+ :  ¥1.356
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMC7664 ON Semiconductor 通用MOSFET

2.3W(Ta),45W(Tc) 4.2m Ohms@18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 18.8A N-Channel 30V 18.8A(Ta),24A(Tc) ±20V 4.2 毫欧 @ 18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN

暂无价格 0 当前型号
SISA12ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

¥2.124 

阶梯数 价格
30: ¥2.124
100: ¥1.692
750: ¥1.524
1,500: ¥1.44
3,000: ¥1.356
11,817 对比
SISA12ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比

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