FDMS8622 与 SI7454DDP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS8622 | SI7454DDP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDMS8622 | A3t-SI7454DDP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 33 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),31W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 56 毫欧 @ 4.8A,10V | 33mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),31W(Tc) | 4.1W(Ta),29.7W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.8A(Ta),16.5A(Tc) | 21A |
| 系列 | PowerTrench® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 50V | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 10V | 19.5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8622 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
2.5W(Ta),31W(Tc) 56m Ohms@4.8A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 4.8A N-Channel 100V 4.8A(Ta),16.5A(Tc) ±20V 56 毫欧 @ 4.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.1W(Ta),29.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 21A 33mΩ@10A,10V 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.1W(Ta),29.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 21A 33mΩ@10A,10V 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
