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FQAF13N80  与  IRFPE50PBF  区别

型号 FQAF13N80 IRFPE50PBF
唯样编号 A3t-FQAF13N80 A3t-IRFPE50PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 800 V 0.75 Ohm Through Hole Mosfet - TO-3PF Single N-Channel 800 V 1.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 120W(Tc) -
宽度 - 5.31mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 750 毫欧 @ 4A,10V 1.2Ω
上升时间 - 38ns
Qg-栅极电荷 - 200nC
栅极电压Vgs ±30V 2V
正向跨导 - 最小值 - 5.6S
封装/外壳 SC-94 TO-247AC-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A(Tc) 7.8A
配置 - Single
长度 - 15.87mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 39ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V -
高度 - 20.82mm
漏源极电压Vds 800V 800V
Pd-功率耗散(Max) 120W(Tc) 190W
典型关闭延迟时间 - 120ns
FET类型 N-Channel -
系列 QFET® IRFPE
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V 3100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V 200nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 19ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQAF13N80 ON Semiconductor 通用MOSFET

120W(Tc) 750m Ohms@4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8A N-Channel 800V 8A(Tc) ±30V 750 毫欧 @ 4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3PF SC-94

暂无价格 0 当前型号
IRFPE50PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 7.8A 190W 1.2Ω 800V 2V TO-247AC-3

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