首页 > 商品目录 > > > > FQP12P20代替型号比较

FQP12P20  与  IRF9640PBF  区别

型号 FQP12P20 IRF9640PBF
唯样编号 A3t-FQP12P20 A33-IRF9640PBF-1
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF9640 Series 200 V 0.5 Ohms Single P-Channel Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 120W(Tc) -
上升时间 - 43ns
Qg-栅极电荷 - 44nC
栅极电压Vgs ±30V 2V
正向跨导 - 最小值 - 4.1S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.5A(Tc) 11A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 38ns
导通电阻Rds(On) 470 毫欧 @ 5.75A,10V 500mΩ
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
功率耗散Pd 120W(Tc) 125W
漏源极电压Vds 200V 200V
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 P-Channel -
系列 QFET® IRF
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 44nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 28 - 35天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥21.7904
10+ :  ¥19.3469
30+ :  ¥15.3511
50+ :  ¥14.5557
100+ :  ¥13.952
300+ :  ¥13.5591
500+ :  ¥13.4729
1,000+ :  ¥13.4154
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP12P20 ON Semiconductor 通用MOSFET

120W(Tc) 470m Ohms@5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 11.5A P-Channel 200V 11.5A(Tc) ±30V 470 毫欧 @ 5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF9640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V

¥21.7904 

阶梯数 价格
7: ¥21.7904
10: ¥19.3469
30: ¥15.3511
50: ¥14.5557
100: ¥13.952
300: ¥13.5591
500: ¥13.4729
1,000: ¥13.4154
1,000 对比
IRF9640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V

暂无价格 0 对比
IRF9640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V

暂无价格 0 对比
IRF9640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售