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NTMFS4833NT1G  与  SI7658ADP-T1-GE3  区别

型号 NTMFS4833NT1G SI7658ADP-T1-GE3
唯样编号 A3t-NTMFS4833NT1G A3t-SI7658ADP-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 5.4W(Ta),83W(Tc)
功率 910mW(Ta),125W(Tc) -
漏源极电压Vds 30V 30V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-FL PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id 28A 60A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 12V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 11.5V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 2 毫欧 @ 30A,10V 2.2 mOhms @ 20A,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTMFS4833NT1G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

60A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V

¥3.927 

阶梯数 价格
20: ¥3.927
100: ¥3.2742
750: ¥3.0294
1,500: ¥2.8866
3,000: ¥2.7642
12,133 对比
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

60A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V

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