NTR4171PT1G 与 DMP3098L-7 区别
| 型号 | NTR4171PT1G | DMP3098L-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-NTR4171PT1G | A36-DMP3098L-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | DMP3098L Series 30 V 70 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | 1.3 mm | 1.3mm | ||||||||
| 正向跨导-最小值 | 7 S | - | ||||||||
| 上升时间 | 16 ns | 5ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.8nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | 3.8A | ||||||||
| 配置 | Single | Single | ||||||||
| 长度 | 2.9 mm | 2.9mm | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | 22 ns | 9.5ns | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 720pF @ 15V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 75mΩ@2.2A,10V | 70mΩ@3.8A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - | ||||||||
| 高度 | 0.94 mm | 1mm | ||||||||
| 功率耗散Pd | 480mW(Ta) | 1.08W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns | 17.6ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 系列 | NTR4171P | DMP3098 | ||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | 1Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 720pF @ 15V | 336pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.6nC @ 10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | 6ns | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15.6nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 6,610 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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SI3401A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.2115
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55,526 | 对比 | ||||||||||
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DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel |
￥0.3286
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51,080 | 对比 | ||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
￥0.6039
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11,500 | 对比 | ||||||||||
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DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel |
￥0.6292
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6,610 | 对比 | ||||||||||
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FDN352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A |
￥0.9724
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3,375 | 对比 |
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