NTTFS4C06NTAG 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | NTTFS4C06NTAG | RQ3E180GNTB | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-NTTFS4C06NTAG | A36-RQ3E180GNTB | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W | ||||||||
| 上升时间 | - | 6.9ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | HSMT-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 18A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 下降时间 | - | 10.2ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 4.3mΩ@18A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,941 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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NTTFS4C06NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON7534 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.464
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24,286 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
￥0.6661
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10,556 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.436
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4,345 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.1888
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2,941 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.0151
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2,775 | 对比 |
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