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NTTFS4C25NTAG  与  SISA10DN-T1-GE3  区别

型号 NTTFS4C25NTAG SISA10DN-T1-GE3
唯样编号 A3t-NTTFS4C25NTAG A3t-SISA10DN-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) PowerPAK® 1212-8
功率耗散Pd - 3.6W(Ta),39W(Tc)
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 30V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
导通电阻Rds(On) - 3.7 mOhms @ 10A,10V
Vgs(th) - 2.2V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTTFS4C25NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 当前型号
SISA10DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 3.7 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比
SISA10DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 3.7 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

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