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PMPB100ENE  与  SIA462DJ-T1-GE3  区别

型号 PMPB100ENE SIA462DJ-T1-GE3
唯样编号 A3t-PMPB100ENE A3t-SIA462DJ-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - PowerPAK® SC-70-6
连续漏极电流Id - 12A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18 mOhms @ 9A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.5W(Ta),19W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB100ENE Nexperia 通用MOSFET

N-Channel

暂无价格 0 当前型号
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 9A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V

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