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PMPB15ENE  与  SIA462DJ-T1-GE3  区别

型号 PMPB15ENE SIA462DJ-T1-GE3
唯样编号 A3t-PMPB15ENE A3t-SIA462DJ-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DFN2020MD‑6 PowerPAK® SC-70-6
连续漏极电流Id - 12A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18 mOhms @ 9A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.5W(Ta),19W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB15ENE Nexperia  数据手册 通用MOSFET

DFN2020MD‑6

暂无价格 0 当前型号
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 9A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.8173 

阶梯数 价格
60: ¥2.8173
100: ¥2.1657
300: ¥1.744
500: ¥1.6578
1,000: ¥1.5907
2,597 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.4175 

阶梯数 价格
40: ¥4.4175
50: ¥3.0664
100: ¥2.4244
300: ¥1.9932
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8495
2,490 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

¥2.7215 

阶梯数 价格
60: ¥2.7215
100: ¥2.0794
300: ¥1.6578
500: ¥1.5716
1,000: ¥1.5045
2,040 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 200 对比

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