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PSMN2R0-30YLDX  与  SIJA54ADP-T1-GE3  区别

型号 PSMN2R0-30YLDX SIJA54ADP-T1-GE3
唯样编号 A3t-PSMN2R0-30YLDX A3t-SIJA54ADP-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT669 PowerPAK® SO-8
工作温度 175°C -
连续漏极电流Id 100A -
漏源极电压Vds 30V -
输入电容 2969pF -
Pd-功率耗散(Max) 142W -
Rds On(max)@Id,Vgs 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V -
输出电容 1477pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 142W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 当前型号
SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 0 对比
SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 0 对比

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