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PSMN4R0-30YLDX  与  SIJA74DP-T1-GE3  区别

型号 PSMN4R0-30YLDX SIJA74DP-T1-GE3
唯样编号 A3t-PSMN4R0-30YLDX A3t-SIJA74DP-T1-GE3
制造商 Nexperia Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN4R0 Series 30 V 95 A 4 mOhm N-Channel Logic Level MOSFET - LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@25A,10V 3.99 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) 64W 4.1W(Ta),46.2W(Tc)
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
输出电容 812pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 95A 24A(Ta),81.2A(Tc)
输入电容 1272pF -
Vgs(最大值) - +20V,-16V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 4mΩ@25A,10V 64W -55°C~175°C ±20V 30V 95A

暂无价格 0 当前型号
PH3830DLX Nexperia 功率MOSFET

SOT669 N-Channel

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SIJA74DP-T1-GE3 Vishay 功率MOSFET

24A(Ta),81.2A(Tc) N-Channel 3.99 mOhms @ 10A,10V 4.1W(Ta),46.2W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

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