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RAL035P01TCR  与  SI1401EDH-T1-GE3  区别

型号 RAL035P01TCR SI1401EDH-T1-GE3
唯样编号 A3t-RAL035P01TCR A36-SI1401EDH-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 34 mOhm 36 nC Surface Mount Mosfet - SOT-363 (SC-70)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1W(Ta) 1.6W(Ta),2.8W(Tc)
漏源极电压Vds 12V 12V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-SMD SOT-363
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 4A(Tc)
Vgs(最大值) - ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 6V -
导通电阻Rds(On) 42mΩ@3.5A,4.5V 34 mOhms @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 2,220
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.328
100+ :  ¥1.86
750+ :  ¥1.668
1,500+ :  ¥1.572
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1W(Ta) 42mΩ@3.5A,4.5V 150°C(TJ) 6-SMD P-Channel 12V 3.5A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A(Tc) P-Channel 34 mOhms @ 5.5A,4.5V 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 12V

¥2.328 

阶梯数 价格
30: ¥2.328
100: ¥1.86
750: ¥1.668
1,500: ¥1.572
2,220 对比
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A(Tc) P-Channel 34 mOhms @ 5.5A,4.5V 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 12V

暂无价格 0 对比

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