SI1471DH-T1-E3 与 RRL025P03TR 区别
| 型号 | SI1471DH-T1-E3 | RRL025P03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI1471DH-T1-E3 | A3t-RRL025P03TR |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 100 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-70-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100 mOhms @ 2A,10V | 55mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Ta),2.78W(Tc) | 1W |
| Qg-栅极电荷 | - | 5.2nC |
| Vgs(th) | 1.6V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363T-6 |
| 连续漏极电流Id | 2.7A(Tc) | 2.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1471DH-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.7A(Tc) P-Channel 100 mOhms @ 2A,10V 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥4.4559
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥4.4559
|
1,266 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥5.6583
|
100 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
