SI1922EDH-T1-GE3 与 US6K4TR 区别
| 型号 | SI1922EDH-T1-GE3 | US6K4TR | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI1922EDH-T1-GE3 | A36-US6K4TR | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 198 mOhm 1.25 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-363 | US6K4 Series 20 V 1.5 A 180 mOhm Surface Mount Dual N-Channel Mosfet - TUMT-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TUMT | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.3A | 1.5A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 198 mOhms @ 1A,4.5V | 180mΩ@1.5A,4.5V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 10V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1W | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V | ||||||||
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 30,239 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2N-Channel 198 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥0.7509
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30,239 | 对比 | ||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥0.5492
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12,050 | 对比 | ||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.627
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9,256 | 对比 | ||||||||||
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US6K4TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
180mΩ@1.5A,4.5V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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