SI2336DS-T1-GE3 与 FDV301N 区别
| 型号 | SI2336DS-T1-GE3 | FDV301N | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SI2336DS-T1-GE3 | A36-FDV301N | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||
| 功率 | - | 350mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | ||||||||
| 上升时间 | 10ns | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 10nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 400mV | ±8V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 30S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.2A | 220mA(Ta) | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||
| 下降时间 | 10ns | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.06V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9.5pF @ 10V | ||||||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 25V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W | 350mW(Ta) | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 20ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.06V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF @ 15V | 9.5pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 8V | 0.7nC @ 4.5V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 6ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.7nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 45,136 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.3406
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45,136 | 对比 | |||||||||||
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PMV60EN,215 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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NXV55UN | Nexperia | 小信号MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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