SI4172DY-T1-GE3 与 IRF7811AVTRPBF 区别
| 型号 | SI4172DY-T1-GE3 | IRF7811AVTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4172DY-T1-GE3 | A-IRF7811AVTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Single N-Channel 30 V 2.5 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | 10.8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1801pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V |
| 导通电阻Rds(On) | 12 mOhms @ 11A,10V | 14mΩ@15A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1801pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15A(Tc) N-Channel 12 mOhms @ 11A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥4.2355
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2,500 | 对比 | |||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥3.094
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2,151 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH100N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 9 | 对比 | |||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7811AVTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 10.8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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