SI4425DDY-T1-GE3 与 FDS6681Z 区别
| 型号 | SI4425DDY-T1-GE3 | FDS6681Z | ||||
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| 唯样编号 | A3t-SI4425DDY-T1-GE3 | A36-FDS6681Z | ||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 | ||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta),5.7W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||||
| 连续漏极电流Id | 19.7A(Tc) | -20A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 9.8 mOhms @ 13A,10V | 4.6mΩ@-20A,-10V | ||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 985 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19.7A(Tc) P-Channel 9.8 mOhms @ 13A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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FDS6681Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) 4.6mΩ@-20A,-10V P-Channel -20A -30V SOIC-8 -55°C~150°C |
￥5.902
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985 | 对比 | ||||||
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SI4425DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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