SI4830CDY-T1-E3 与 SP8K2TB 区别
| 型号 | SI4830CDY-T1-E3 | SP8K2TB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SI4830CDY-T1-E3 | A3t-SP8K2TB |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20 mOhms @ 8A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 功率-最大值 | - | 2W |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.9W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 520pF @ 10V |
| Vgs(th) | 3V @ 1mA | - |
| FET类型 | 2N-Channel | 2 N-通道(双) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOP |
| 连续漏极电流Id | 8A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| FET功能 | - | 逻辑电平门 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 30 毫欧 @ 6A,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 6A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 10.1nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4830CDY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2N-Channel 20 mOhms @ 8A,10V 2.9W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SP8K2TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SP8K2TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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