SIHA15N50E-E3 与 IPA50R280CE 区别
| 型号 | SIHA15N50E-E3 | IPA50R280CE |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHA15N50E-E3 | A-IPA50R280CE |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280 mOhms @ 7.5A,10V | 280mΩ |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 33W(Tc) | 30W |
| Qg-栅极电荷 | - | 32.6nC |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | PG-TO220-3 |
| 连续漏极电流Id | 14.5A(Tc) | 13A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSCE |
| 长度 | - | 10.65mm |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 13V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 350µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 773pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 32.6nC @ 10V |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHA15N50E-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.5A(Tc) N-Channel 280 mOhms @ 7.5A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPA50R280CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 500V 13A 280mΩ 20V 30W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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