SIHB15N50E-GE3 与 STB12NM50ND 区别
| 型号 | SIHB15N50E-GE3 | STB12NM50ND |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHB15N50E-GE3 | A3t-STB12NM50ND |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 550 V 0.38 O Surface Mount FDmesh II Power MosFet - D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280 mOhms @ 7.5A,10V | 380mΩ@5.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 156W(Tc) | 100W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±25V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 14.5A(Tc) | 11A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 系列 | - | FDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SIHB15N50E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.5A(Tc) N-Channel 280 mOhms @ 7.5A,10V 156W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STB12NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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STB12NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB12NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB12NM50ND | STMicro | 功率MOSFET |
11A(Tc) ±25V 100W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 500V 11A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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