SIHFL014-GE3 与 IRLL014NTRPBF 区别
| 型号 | SIHFL014-GE3 | IRLL014NTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFL014-GE3 | A-IRLL014NTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 1W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 230pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 140mΩ@2A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIHFL014-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NDT3055L | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
￥3.069
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6,966 | 对比 | ||||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4 |
￥2.024
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4,018 | 对比 | |||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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