SIHG20N50E-GE3 与 TK20J50D(F) 区别
| 型号 | SIHG20N50E-GE3 | TK20J50D(F) | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHG20N50E-GE3 | A33-TK20J50D(F)-1 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | Toshiba | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 179W(Tc) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 19A(Tc) | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 500V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 184 mOhms @ 10A,10V | - | ||||||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 164 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIHG20N50E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
19A(Tc) N-Channel 184 mOhms @ 10A,10V 179W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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TK20J50D(F) | Toshiba | 未分类 |
￥20.6885
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164 | 对比 | ||||||||||||||
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TK20J50D(F) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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