SIHLR120-GE3 与 FQD13N10LTM 区别
| 型号 | SIHLR120-GE3 | FQD13N10LTM | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHLR120-GE3 | A36-FQD13N10LTM | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 10 A 180 mOhm QFET® Mosfet - DPAK-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252(DPAK) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7.7A(Tc) | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 270 mOhms @ 4.6A,5V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W,42W | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±10V | - | ||||||
| Vgs(th) | 2V @ 250uA | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,984 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHLR120-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,5V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
|
IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
|
|
FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
￥2.387
|
1,984 | 对比 | ||||||||
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRLR120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
185mΩ@6A,10V ±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
