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SIHU2N80E-GE3  与  STU2N80K5  区别

型号 SIHU2N80E-GE3 STU2N80K5
唯样编号 A3t-SIHU2N80E-GE3 A-STU2N80K5
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB TO-251
连续漏极电流Id 2.8A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.75 Ohms @ 1A,10V -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 62.5W(Tc) -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHU2N80E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.8A(Tc) N-Channel 2.75 Ohms @ 1A,10V 62.5W(Tc) TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB -55°C~150°C 800V

暂无价格 0 当前型号
STU2N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251

暂无价格 8,925 对比
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