首页 > 商品目录 > > > SIJ5623DP-T1-GE3代替型号比较

SIJ5623DP-T1-GE3  与  PSMP061-60YEX  区别

型号 SIJ5623DP-T1-GE3 PSMP061-60YEX
唯样编号 A3t-SIJ5623DP-T1-GE3 A3t-PSMP061-60YEX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-669
工作温度 - -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 25A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 61mΩ@4.7A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 66W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJ5623DP-T1-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
PSMP061-60YEX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT-669 P-Channel 61mΩ@4.7A,10V 66W -55°C~175°C ±20V 60V 25A

暂无价格 0 对比
PSMP061-60YEX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT-669 P-Channel 61mΩ@4.7A,10V 66W -55°C~175°C ±20V 60V 25A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售