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SIJA72ADP-T1-GE3  与  RS6G100BGTB1  区别

型号 SIJA72ADP-T1-GE3 RS6G100BGTB1
唯样编号 A3t-SIJA72ADP-T1-GE3 A33-RS6G100BGTB1-1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 27.9A(Ta),96A(Tc) 100A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.42 mOhms @ 10A,10V 3.4mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),56.8W(Tc) 59W
Vgs(最大值) +20V,-16V -
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 2,494
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.4134
50+ :  ¥6.3532
100+ :  ¥5.7495
300+ :  ¥5.3566
500+ :  ¥5.28
1,000+ :  ¥5.2129
2,000+ :  ¥5.1841
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

暂无价格 0 当前型号
PSMN3R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 91W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
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SOT669 N-Channel 91W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A

¥8.4134 

阶梯数 价格
20: ¥8.4134
50: ¥6.3532
100: ¥5.7495
300: ¥5.3566
500: ¥5.28
1,000: ¥5.2129
2,000: ¥5.1841
2,494 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥15.514 

阶梯数 价格
10: ¥15.514
50: ¥10.7419
100: ¥10.1382
300: ¥9.7454
500: ¥9.6687
1,000: ¥9.6016
1,474 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比

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