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SIJA74DP-T1-GE3  与  PSMN5R0-30YL,115  区别

型号 SIJA74DP-T1-GE3 PSMN5R0-30YL,115
唯样编号 A3t-SIJA74DP-T1-GE3 A-PSMN5R0-30YL,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.99 mOhms @ 10A,10V -
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 4.1W(Ta),46.2W(Tc) 61W
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
输出电容 - 373pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 SOT669
连续漏极电流Id 24A(Ta),81.2A(Tc) 91A
工作温度 -55°C~150°C 175°C
输入电容 - 1760pF
Vgs(最大值) +20V,-16V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V,6.7mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJA74DP-T1-GE3 Vishay 功率MOSFET

24A(Ta),81.2A(Tc) N-Channel 3.99 mOhms @ 10A,10V 4.1W(Ta),46.2W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

暂无价格 0 当前型号
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PSMN4R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 4mΩ@25A,10V 64W -55°C~175°C ±20V 30V 95A

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PSMN5R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 61W 175°C 1.7V 30V 91A

暂无价格 0 对比
PSMN4R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 4mΩ@25A,10V 64W -55°C~175°C ±20V 30V 95A

暂无价格 0 对比
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SOT669 N-Channel 61W 175°C 1.7V 30V 91A

暂无价格 0 对比

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