SIR642DP-T1-GE3 与 BSC026N04LS 区别
| 型号 | SIR642DP-T1-GE3 | BSC026N04LS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR642DP-T1-GE3 | A-BSC026N04LS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4 mOhms @ 15A,10V | 2.1mΩ |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 4.8W(Ta),41.7W(Tc) | 63W |
| Qg-栅极电荷 | - | 45nC |
| Vgs(th) | 2.3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 85S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 37ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | - |
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS5 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 下降时间 | - | 4ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 5ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR642DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 2.4 mOhms @ 15A,10V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC026N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 100A 2.1mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFH5004TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.6mΩ@50A,10V N-Channel 40V 28A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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