SIR662DP-T1-GE3 与 FDMS86500L 区别
| 型号 | SIR662DP-T1-GE3 | FDMS86500L | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR662DP-T1-GE3 | A36-FDMS86500L | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 2.5W(Ta),104W(Tc) | ||||||
| 宽度 | 5.15 mm | - | ||||||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),104W(Tc) | ||||||
| 零件号别名 | SIR662DP-GE3 | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | Power | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 25A | ||||||
| 系列 | SIR | PowerTrench® | ||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 30V | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||
| 长度 | 6.15 mm | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4365pF @ 30V | 12530pF @ 30V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 96nC @ 10V | 165nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.7mΩ | 2.5 毫欧 @ 25A,10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 12530pF @ 30V | ||||||
| 高度 | 1.04 mm | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 165nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,001 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
STL220N6F7 | STMicro | 数据手册 | 未分类 |
￥9.62
|
5,980 | 对比 | |||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
暂无价格 | 4,500 | 对比 | ||||||||||||
|
CSD18533Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-VSONP(5x6) |
￥4.589
|
1,382 | 对比 | ||||||||||||
|
FDMS86500L | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥7.488
|
1,001 | 对比 | |||||||||||||
|
CSD18540Q5B | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥10.816
|
779 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
