SIR820DP-T1-GE3 与 IRFH8318TRPBF 区别
| 型号 | SIR820DP-T1-GE3 | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR820DP-T1-GE3 | A-IRFH8318TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3 mOhms @ 15A,10V | 3.1mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 37.8W(Tc) | 3.6W(Ta),59W(Tc) |
| Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | PQFN(5x6) |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 27A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR820DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 3 mOhms @ 15A,10V 37.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFH8318TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),59W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.1mΩ@20A,10V N-Channel 30V 27A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
