SIR826ADP-T1-GE3 与 FDMS86300 区别
| 型号 | SIR826ADP-T1-GE3 | FDMS86300 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIR826ADP-T1-GE3 | A36-FDMS86300 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 80 V 5.5 mOhm 86 nC 104 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 | 表面贴装型 N 通道 80 V 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6） | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5 mOhms @ 20A,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.8V @ 250uA | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDMS86300 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥5.445
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3,000 | 对比 | |||||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥25.2688
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1,654 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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